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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,采用VBE线性化补偿技术与温度分段补偿技术设计了一种高精度的带隙基准电压源。仿真结果显示,所设计的带隙基准电压源在-40℃~125℃内获得了0.47ppm/℃的温漂系数,在低频处获得了-60dB的电源抑制。
基于VBE线性化与分段补偿技术的带隙基准电压源
【摘 要】
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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,采用VBE线性化补偿技术与温度分段补偿技术设计了一种高精度的带隙基准电压源。仿真结果显示,所设计的带隙基准电压源在-40℃~125℃内获得了0.47p
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院
【出 处】
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数字技术与应用
【发表日期】
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2018年12期
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