【摘 要】
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基于第一性原理,应用Materials Studio软件对2H-MoS2的能带结构、态密度、光学特性等进行了模拟研究.结果 表明:MoS2是间接带隙半导体,禁带宽度约为1.1275 eV;材料在紫外至可见光波段具有一定吸收,吸收系数随波长增加而减小,拉曼光谱在375和400 cm-1分别出现了E2g1和A1g两个振动模式.在39.5°,33.5°等位置处出现了(103),(101)等晶面的衍射峰.采用磁控溅射的方法,在石英衬底上制备了不同厚度的MoS2薄膜,发现该薄膜具有(101)择优取向,在375和40
【机 构】
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长春理工大学理学院电子科学与技术系,长春130022
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基于第一性原理,应用Materials Studio软件对2H-MoS2的能带结构、态密度、光学特性等进行了模拟研究.结果 表明:MoS2是间接带隙半导体,禁带宽度约为1.1275 eV;材料在紫外至可见光波段具有一定吸收,吸收系数随波长增加而减小,拉曼光谱在375和400 cm-1分别出现了E2g1和A1g两个振动模式.在39.5°,33.5°等位置处出现了(103),(101)等晶面的衍射峰.采用磁控溅射的方法,在石英衬底上制备了不同厚度的MoS2薄膜,发现该薄膜具有(101)择优取向,在375和407 cm-1处也分别出现了E2g1和A1g两个拉曼峰.随着厚度的增加,薄膜在可见光波段透过率下降,光学带隙向长波长移动,模拟结果与实验结果基本吻合.
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