【摘 要】
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对功率MOSFET热设计的考虑与双极型功率晶体管基本上相同。对功率MOSFET的情况,使用条件下的允许沟道温度最高限制一般为150℃,(在设计时,考虑20％左右的富余量,所以推荐使用
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对功率MOSFET热设计的考虑与双极型功率晶体管基本上相同。对功率MOSFET的情况,使用条件下的允许沟道温度最高限制一般为150℃,(在设计时,考虑20％左右的富余量,所以推荐使用在125℃以下)。下面举三个例子说明一下沟道温度的计算法。
The thermal design considerations for power MOSFETs are essentially the same as for bipolar power transistors. In the case of power MOSFETs, the maximum allowable channel temperature for use under conditions of use is typically 150 ° C (in design, consider a margin of about 20%, so it is recommended to use at 125 ° C or less). Here are three examples to explain the channel temperature calculation.
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