【摘 要】
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制备Ga As基电注入阴极需要在p型Ga As材料上制备周期性分布的金属薄膜电极。实验中,分别采用正性光刻胶AZ5214和负性光刻胶RPN1150作为掩膜层,利用热阻蒸发法和电子束蒸发法
【基金项目】
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国家自然科学基金资助(项目编号:61661002)
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制备Ga As基电注入阴极需要在p型Ga As材料上制备周期性分布的金属薄膜电极。实验中,分别采用正性光刻胶AZ5214和负性光刻胶RPN1150作为掩膜层,利用热阻蒸发法和电子束蒸发法在材料表面沉积Ti/Pt/Au薄膜,通过薄膜剥离技术去除多余的金属薄膜,形成基极电极。实验结果表明采用负性光刻胶制备的电极质量更好,正性光刻胶制备的电极边缘粗糙,合理地沉积Ti/Pt/Au薄膜厚度可提高电注入阴极的基极电极质量,从而提升电注入阴极的性能。
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