【摘 要】
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通过低温压热的方法 ,在经过预先处理长满晶核的 SnO2导电玻璃基底上制备出具有高度取向的 ZnO亚微米棒阵列 .用扫描电子显微镜 (SEM)、选区电子衍射 (SAED)及 X射线粉末衍射
【机 构】
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北京大学化学与分子工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院
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通过低温压热的方法 ,在经过预先处理长满晶核的 SnO2导电玻璃基底上制备出具有高度取向的 ZnO亚微米棒阵列 .用扫描电子显微镜 (SEM)、选区电子衍射 (SAED)及 X射线粉末衍射 (XRD),对制备出的 ZnO亚微米棒的结构和形貌进行了表征 .SEM测试结果表明 ,ZnO亚微米棒是六方型的 ,近乎垂直地长在基底上 ,棒的直径为 400～ 500 nm,长度约为 2 μ m.SAED和 XRD结果表明 ,ZnO亚微米棒为单晶 ,属于六方晶系 ,并且沿 [001]方向择优取向生长 .
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