【摘 要】
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利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁结构电薄膜,借助HP4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属-铁电薄膜-半
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利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁结构电薄膜,借助HP4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属-铁电薄膜-半导体(MFS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算出界面电位降Vi,结果表明,界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.在三种结构中,BIT/PZT/BIT结构的界面电压降为最小,其界面效应优于单层和双层结构的界面效应.
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