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日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录
【摘 要】
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日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
【出 处】
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电子设计工程
【发表日期】
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2012年14期
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