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氮化镓（GaN）具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气（2DEG）,故在高频、高效......
学位
Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点，在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有......
近年来,GaN异质结场效应晶体管（HFET）由于具有高稳定性、高击穿电压以及高电流等优良特性已经在功率半导体领域受到广泛关注。相比于......
增强型GaN HEMT器件具有耐高压、耐高温、低导通损耗和低开关损耗的特点,被广泛应用于高压高频的功率转换领域。非钳位式感性负载......
为解决含油废水处理难题,以聚四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚（PFA）为成膜聚合物,聚乙烯醇（PVA）为粘接剂,采用浸渍-烧结法制备了聚间苯二甲......
氮化镓基高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistor,HEMT）具有传统硅基器件难以企及的高击穿电压、高功率密度及低开关......
农业环境中广泛分布着曲霉属和青霉属等产毒真菌株,能够产生赭曲霉毒素A（OTA）。OTA是毒副作用最强、污染最为严重的真菌毒素之一,已......
GaN基HEMT器件是当前最受关注的电力电子器件之一,具有非常广泛的应用前景。为了不断提高HEMT器件在电源开关领域的的工作性能,需......
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,也是近年来研究的热点。与传统的Si材料相比,其饱和漂移速度高、禁带宽度大、临界击穿场......
以硅（Si）材料为基础的工业半导体取得了前所未有的进步,然而其较小的带隙无法满足半导体器件在高压、高频、高功率以及短波长发光和......
相比于传统的第一代、第二代和第三代半导体,β-Ga2O3作为一种新型的半导体材料,具有4.8-4.9 e V的超宽禁带宽度和8 MV/cm的超高临......
相比于传统Si基功率MOSFET,AlGaN/GaN HEMT具有更强的沟道导电能力、更小的寄生电容（CISS和COSS）,且不存在由寄生体二极管引入的反向......
报道了一种利用AlGaN/GaN异质结中二维电子气导电且阈值电压可调的垂直氮化镓场效应管,通过双横向沟道的设置,在提高氮化镓器件电......
目标检测是计算机视觉领域最经典的任务之一，近年来基于深度神经网络的目标检测算法的研究取得了显著的突破。然而，深度学习目标检测......
六氟化硫(SF6)广泛应用于电力工业中，对SF6痕量气体进行检测对于监测大气环境、维护电力系统等具有重要的作用。光声光谱技术是痕量......
目前,网络融合正处于转折的阶段,而这一过程可能会持续3～4年。结合自身的发展,Emulex将这一过程划分为六个阶段。 技术概念 ......
“上云是常态，不上云是例外”，已经成为业内共识，然而，IT主管们却越来越担心多云环境中的工作负载。有调查显示，58%的IT主管表示迁移数......
“近年来，随着恶意软件种类、数量和黑客攻击活动的激增，用户在信息化应用过程中面临的安全风险不断攀升，这对很多行业尤其是涉及国家......
据美军士兵计划执行办公室称，AN／PSQ－20增强型夜视镜目前已装备美军第10山地师。 AN／PSQ－20增强型夜视镜是一种安装在头盔上的单兵夜......
1SR25 7.62mm增强型竞赛步枪，美国奈特军械公司研制 2OA15 5.56mm突击步枪，德国奥伯兰德武器公司研制 3XM2010 0.300英寸增强......
ADCOR防务公司于2011年5月宣布，该公司研制的布朗增强型自动步枪（Brown Enhanced Automatic Rifle）进入军用单兵卡宾枪市场，与现役M4卡......
楔形板是放射治疗过程中经常被采用的一种线束修整装置.通常用重金属制成的楔形板虽然可以改善剂量分布,但会有使射线质变硬、增加......
<正>CL-1000i全自动化学发光免疫分析系统是继CL-2000i发光免疫系统平台之后,迈瑞人历经2年的不懈努力与卓越实践,于2015年推出的......
铜绿假单胞菌是长期住院患者和肺囊性纤维化患者感染的常见致病菌,铜绿假单胞菌形成生物被膜的能力使其可以长期定植在人类组织和......
航空航天飞行器等结构在工作过程中往往处于复杂的振动环境,本文对非白噪声环境激励下的结构模态参数识别进行研究,具有重要的工程......
Cu2+在我们的生活生产和生命活动中起着重要作用,同时生物体和环境中的Cu2+过载也会导致严重的影响和危害,因此对Cu2+进行检测具有......
氮化镓(Ga N)作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿场强高、耐高温、抗辐照等优异性能。特别是其与Al Ga N等材料可以形成具......
学位
作为第三代半导体材料的代表,GaN具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率等优点,因此GaN功率器件被广泛应用于高频、高功率密度......
自上个世纪九十年代以来,AlGaN/GaN HEMT凭借着其优异的特性发展迅猛,与传统的Si器件相比,GaN HEMT可以工作在更高的频率和温度下,......
与硅(Si)基器件相比,基于AlGaN/GaN异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着材料的高电场强度与在AlGaN/GaN界面处形成的二维电......
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第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关......
SolidCAM近日表示，将在2013年的EMO上展示最新的SolidCAM 2013 SP2，并提供更快速的三角曲面的产生结果，大幅减少对于大型CAM零件的编......
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