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用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

来源 :红外技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiao2168644

【作 者】

：

孙祥乐 高思伟 毛渲 龚晓霞 余黎静 宋欣波 柴圆媛 尚发兰 信 

【出 处】

：

红外技术

【发表日期】

：

2019年08期

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