【摘 要】
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针对有机硅行业生产过程中产生的废触体，提出了水浸预处理—氧化酸浸—旋流电积制备高纯铜的工艺。采用单因素实验法，分别考察了反应温度、液固比、反应时间等因素对水浸预处理及氧化酸浸效果的影响。结果表明，在反应温度为80℃、反应时间为30 min、液固比为3的优化条件下，水浸预处理过程中Cl、Fe的去除率可分别达到93.95%、5.25%，而铜不浸出。在双氧水用量为理论用量的2.0倍、反应温度为30℃、硫
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（51922108，52074363，52104355，U20A20273）； 国家重点研发计划资助项目（2019YFC1907402）；
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针对有机硅行业生产过程中产生的废触体，提出了水浸预处理—氧化酸浸—旋流电积制备高纯铜的工艺。采用单因素实验法，分别考察了反应温度、液固比、反应时间等因素对水浸预处理及氧化酸浸效果的影响。结果表明，在反应温度为80℃、反应时间为30 min、液固比为3的优化条件下，水浸预处理过程中Cl、Fe的去除率可分别达到93.95%、5.25%，而铜不浸出。在双氧水用量为理论用量的2.0倍、反应温度为30℃、硫酸浓度为1.25 mol/L、液固比为3、反应时间为20 min的优化条件下，氧化酸浸过程中Cu的浸出率可达93.59%，溶液中Fe含量仅为0.25 g/L，且循环浸出时浸出率保持稳定。经循环浸出富集后的硫酸铜浸出液采用旋流电积制备高纯铜，得到的产品形貌平整，铜含量大于99.98%，达到GB/T467-2010的要求。
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