【摘 要】
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随着微电子技术发展，要使器件水平进一步提高，除了进一步缩小芯片的特征尺寸外，采用新型材料也是有效的方法。文章介绍了SOI解决方案，阐述了SOI器件与体硅器件相比具有的明显优点
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十八研究所
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随着微电子技术发展，要使器件水平进一步提高，除了进一步缩小芯片的特征尺寸外，采用新型材料也是有效的方法。文章介绍了SOI解决方案，阐述了SOI器件与体硅器件相比具有的明显优点。文章重点介绍了SOI晶圆材料的制备方法，目前广泛使用且较有发展前途的SOI的材料制备方法主要有注氧隔离的SIMOX（Seperation by Impolanted Oxygen）方法、硅片键合和反面腐蚀的BESOI（Bonding-Etchback SOI）方法、将键合与注入相结合的Smart Cut SOI方法。指出了SOI很有
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