【摘 要】
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基于0.13μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种应用于LTE_TDD/FDD接收发射模块的低插入损耗的单刀双掷(SPDT)射频开关电路.该电路通过使用绝缘体上硅(SOI)工艺,以及特殊的MOS器件,让设计的开关具有比传统CMOS器件拥有更好的隔离性能,同时实现了更低的插入损耗,该电路通过流片后验证,在0.1～3GHz的频率范围内,插入损耗都低于0.5dB,隔离度平均大于30dB,输入功率0.1dB压缩点达到了34dBm,可以满足4代通信的标准.
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基于0.13μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种应用于LTE_TDD/FDD接收发射模块的低插入损耗的单刀双掷(SPDT)射频开关电路.该电路通过使用绝缘体上硅(SOI)工艺,以及特殊的MOS器件,让设计的开关具有比传统CMOS器件拥有更好的隔离性能,同时实现了更低的插入损耗,该电路通过流片后验证,在0.1～3GHz的频率范围内,插入损耗都低于0.5dB,隔离度平均大于30dB,输入功率0.1dB压缩点达到了34dBm,可以满足4代通信的标准.
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