声表面波存贮相关卷积器的研制

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本文介绍了LiNbO3抽头延迟线(TDL)外接p^+n二极管阵列结构的声表面波(SAW)存贮相关卷积器。器件的中心频率为30MHz,卷积效率为-54dBm,存贮相关效率为-76dBm,信号存贮时间大于70ms。文中讨论了杂波产生的原因及其抑制,以及二极管阵列少子寿命与存贮时间的关系,计算了相关输出与参考信号和读信号的关系,结果表明这种结构的器件是双线性的。文中还对这种结构器件的设计及优化提出了建议
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