【摘 要】
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逆阻型集成门极换流晶闸管(Reverse Blocking Integrated Gate Commutated Thyristor,RB-IGCT)作为一种具备双向耐压与正向可控关断的新型全控型电力电子器件,在电网应用中越来越受到关注.文章分析了高压直流输电(High Voltage Direct Current,HVDC)应用中换相失败的现状、原因及对功率半导体器件的要求,对比了不同器件种类和不同IGCT类型间的特点.针对4.5 kV逆阻IGCT的静态特性、通态特性和开关特性进行了理论与仿真分析.最后
【机 构】
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株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲 412001;新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412001
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逆阻型集成门极换流晶闸管(Reverse Blocking Integrated Gate Commutated Thyristor,RB-IGCT)作为一种具备双向耐压与正向可控关断的新型全控型电力电子器件,在电网应用中越来越受到关注.文章分析了高压直流输电(High Voltage Direct Current,HVDC)应用中换相失败的现状、原因及对功率半导体器件的要求,对比了不同器件种类和不同IGCT类型间的特点.针对4.5 kV逆阻IGCT的静态特性、通态特性和开关特性进行了理论与仿真分析.最后通过合成试验验证了逆阻IGCT门极驱动高位取能、黑启动与对HVDC工况的适应性,试验结果表明4.5 kV逆阻IGCT可作为提升HVDC抵御换相失败能力的优选器件之一.
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