层状磁性拓扑绝缘体VBi2Te4的第一性原理研究

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层状磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4的发现为探索新颖的量子现象(例如,量子反常霍尔效应和轴子绝缘态等)提供了新的契机.本文利用第一性原理软件VASP系统研究了与MnBi2Te4具有相同构型的新型磁性材料VBi2Te4的磁学、电学以及拓扑特性.研究结果发现VBi2Te4可以稳定存在,并且该材料可以很容易剥离至单层.计算结果表明块体VBi2Te4的层间耦合为反铁磁排列,当不考虑自旋轨道耦合作用时,该体系具有约为0.7 eV的能隙;而考虑自旋轨道耦合作用后,体系的能隙变为0.12 eV且伴随有能带的翻转.进一步的拓扑不变量(Z2)和边界态计算表明反铁磁VBi2Te4是三维磁性拓扑绝缘体.对于块体铁磁的VBi2Te4,当不考虑自旋轨道耦合作用时,体系的能隙约为0.66 eV;同样地,自旋轨道耦合作用可以引起能带的翻转.随后的边界态计算证明铁磁的VBi2Te4也具有拓扑特性.该研究工作表明,与层状磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4一样,磁性VBi2Te4块体材料也具有拓扑特性,其有望来实现各种有趣的拓扑量子态.
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