ICP—CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lihonggeng
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在室温下以c—C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFx、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400W,c—C4F8的流量为40sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。
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