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MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。
纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展
【摘 要】
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MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2003年04期
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