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1问：IGBT的基本概念是什么？答：IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）也称为绝缘栅双极型晶体管，它本质上是一个场效应晶体管MOSFET驱动的厚基区双极型大功率晶体管。由于IGBT为电压驱动，具有驱动功率小，开关速度高，饱和压降低，可耐高电压和大电流等一系列优点，表现出很好的综合性能，已成为当前变频器的主流开关器件以及工业领域应用最广泛的电力半导体器件之一。