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运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束，对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28，0.62和2.80MeV，辐照注量为1×10^10，1×10^11，1×10^12和1×10^13cm^-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明：随辐照注量的增加，太阳电池性能参数Isc，Voc和Pmax的衰降幅度均增大；但随质子辐照能量的增加，Isc，Voc和Pmax的衰降幅度