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采用预置层后硫化法制备CuInS2薄膜,分析硫化退火工艺条件对薄膜性能的影响.利用XRD、EDS、分光光度计等薄膜分析手段表征CuInS2薄膜性能对制备工艺条件的依赖关系.实验结果表明:合适的退火条件可有效改善薄膜的结晶学性能,消除薄膜中的杂质二元相,长时间的高温退火处理会导致薄膜中In、S元素不同程度的损失.在优化工艺条件下制备的样品光学性能良好,光吸收系数达到104 cm-数量级.