【摘 要】
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最近随着LSI向超LSI和半导体器件的微型化的进展,晶体的缺陷与器件的生产率有着密切的关系,迫切要求更准确地鉴定晶体的性能.随之,晶体的鉴定技术又向超微领域内的晶体缺陷、
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最近随着LSI向超LSI和半导体器件的微型化的进展,晶体的缺陷与器件的生产率有着密切的关系,迫切要求更准确地鉴定晶体的性能.随之,晶体的鉴定技术又向超微领域内的晶体缺陷、极微量杂质的鉴定技术方向发展,实际上多种多样的分析技术也发展利用起来.这些晶体鉴定方法的高度化,大多数依赖于典
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