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CaCu3Ti4O1(2 CCTO)新型介电陶瓷以其高介电常数和高频率稳定性等优异性能,在高介电材料研究领域和高介电电容器领域成为关注的热点。然而,目前由于其击穿场强较小,限制了其应用范围。本文综述了最近几年国内外CCTO陶瓷击穿场强的研究进展。首先介绍了常用的CCTO陶瓷制备工艺,其次详细归纳了制备工艺和元素掺杂对其击穿场强的影响,最后总结了CCTO陶瓷击穿场强提高的规律与原因,并将其精炼为3种击穿机理。