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概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理，从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展，并对其优缺点进行了分析比较，认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题，最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景。
高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展
【摘 要】
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概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理，从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展，并对其优
【机 构】
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河北工业大学材料学院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2010年7期
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