氟化非晶碳薄膜(a—C:F)的制备与表征

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C4F8和CH4为源气体,采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积(ECR-CVD)方法,在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜低k层间介质。实验中薄膜的沉积速率可达220nm/min,测得的介电常数为2.14~2.58。X光电子能谱表明,随着甲烷含量增大,薄膜中CF3CF2结构含量减少而CF和C^*-CFx(x=1~3)交联结构增多;原子力显微镜表明,在采用C4F8为前驱气体时,高分子基团CxFy在成膜时造成了粗糙不平、多孔渗水的薄膜表面形貌。结果表明,CF基团成分增加而CF2基团成分减小
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