【摘 要】
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研究了孔隙率为9.4%的SiC/55MoSi2(其中SiC体积分数为45%,MoSi2体积分数为55%)电热材料的微观结构和电热性能.材料中的SiC被MoSi2包围,两种组分的连接处虽然边界清晰,但并不
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研究了孔隙率为9.4%的SiC/55MoSi2(其中SiC体积分数为45%,MoSi2体积分数为55%)电热材料的微观结构和电热性能.材料中的SiC被MoSi2包围,两种组分的连接处虽然边界清晰,但并不存在成分的突变,有一宽度小于4 μm的成分过渡区.过渡区内Fe,W杂质元素富集于靠近MoSi2的一侧.氧元素的最高含量没有处于过渡区的中间部位,而是富集于靠近MoSi2的一侧.温度与氧化质量增量关系表明,1 560℃以下材料的氧化质量增量变化很小,接近单-的MoSi2材料.材料中SiC组分氧化所产生的CO或
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