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<正> 利用半导体二极管中雪崩现象制作的微波振荡器件、放大器件总称为雪崩二极管。在这种二极管中,由于杂质分布或外电路不同,其工作机理也不尽相同,因而有几种振荡模式,但其中碰撞雪崩渡越时间模式(IMPATT-IMPact Avalanche Transist Time)和俘获等离子体雪崩触发渡越模式(TRAPATT-TRApped Plasma Avalanche Triggered Transit)最有实用价值。