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本文介绍了大截而KDP杆晶的培养和单晶的生长以及用光学、X射线形貌术和双晶衍射方法对大截而[xy≥200×200(mm)~2]KDP晶体中位错密度的检测。并根据生长锥的形态对位错密度的影响,提出了对控制位错的看法。
大截面KDP晶体的生长与位错的检测
【摘 要】
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本文介绍了大截而KDP杆晶的培养和单晶的生长以及用光学、X射线形貌术和双晶衍射方法对大截而[xy≥200×200(mm)~2]KDP晶体中位错密度的检测。并根据生长锥的形态对位错
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所,中国科学院福建物质结构研究所
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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1990年2期
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