CdS晶体中载流子迁移率的测量

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在室温下,我们测量了电场作用下CdS晶体中光生载流子的电流特性,由此计算出电子的迁移率为42cm^2/V.S空穴的迁移率为1.6×10^2cm^2/V.S激子在其寿命时间内移动0.4mm。
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