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期刊论文
CdS晶体中载流子迁移率的测量
CdS晶体中载流子迁移率的测量
来源 :天津师大学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yq8308yq
【摘 要】
:
在室温下,我们测量了电场作用下CdS晶体中光生载流子的电流特性,由此计算出电子的迁移率为42cm^2/V.S空穴的迁移率为1.6×10^2cm^2/V.S激子在其寿命时间内移动0.4mm。
【作 者】
:
李振钢
赵智虹
【机 构】
:
天津师范大学物理系,天津理工学院材料物理所
【出 处】
:
天津师大学报:自然科学版
【发表日期】
:
1996年4期
【关键词】
:
迁移率
硫化镉晶体
半导体
载流子
测量
【基金项目】
:
国家自然基金
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在室温下,我们测量了电场作用下CdS晶体中光生载流子的电流特性,由此计算出电子的迁移率为42cm^2/V.S空穴的迁移率为1.6×10^2cm^2/V.S激子在其寿命时间内移动0.4mm。
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