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将Ｓｉ、Ｇｅ和Ａｒ三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中，在Ｎ２气氛中，作５５０、６５０、７５０、８５０、９５０和１０５０℃退火后，进行电致发光研究。对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅。对于离主入情况，只观察到Ａｕ／１０５０℃退火的离子注入的富硅二氧化硅／ｐ－Ｓｉ的电致发光。低于１０５０℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅，无了子注