【摘 要】
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采用低压化学气相沉积（LPCVD）工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼（B）掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si（nc-poly-Si（B））薄膜。利用扫描电子显
【机 构】
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河北大学电子信息工程学院,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
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采用低压化学气相沉积（LPCVD）工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼（B）掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si（nc-poly-Si（B））薄膜。利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱等手段,检测和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸和密度分布等结构特征。结果表明,在典型工艺条件下,获得了晶粒尺寸为大约15 nm和密度分布为大约9×1010cm-2的nc-poly-Si（B）薄膜。样品经退火处理后,Si晶粒尺寸变大,排列更加有
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