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先利用有限差分频域法研究了增透膜、Ag底面反射镜对不同厚度超薄晶硅电池光吸收谱的影响，得到最佳的超薄晶硅电池厚度为10-20μm的结论。然后，针对厚度为12μm的超薄晶硅电池陷光结构进行了理论优化，得到了增强因子大于2．25的一维光子晶体上表面织构结构。最后，对该电池结构的光生电流密度和倾斜入射光的接收角进行了计算，结果表明：最优的陷光结构可使12μm的超薄晶硅电池的最大光生电流密度达33mA／cm2以上，且在入射角为-60°≤θ≤60°的范围内，该电池均能保持较大的光生电流密度。