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对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的电学性质进行了研究。在－２００℃￣２０℃温度范围，测定了ＣｏＳｉ２薄膜的电阻率。室温下，电阻率为９￣２０μΩ·ｃｍ。随着温度的降低，电阻率减小，且表现出较好的直线性。
CoSi2薄膜电学性质研究
【摘 要】
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对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的电学性质进行了研究。在－２００℃￣２０℃温度范围，测定了ＣｏＳｉ２薄膜的电阻率。室温下，电阻率为９￣２０μΩ·ｃｍ。随着温度的降低，电阻率减小，且表现出较好的直线性。
【机 构】
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太原理工大学文理学院,南开大学
【出 处】
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太原理工大学学报
【发表日期】
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1999年2期
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