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用高温固相烧结法制备了SrBi4Ti4O15（SBTi）铁电陶瓷，用双氧水浸泡72h进行氧处理的样品与未经过氧处理的样品进行对比研究。样品的介电损耗谱表明：氧处理使SBTi在20℃～300℃温度范围内的介质损耗明显降低，这主要是由于氧处理使样品中氧空位浓度降低引起的。在温度高于300℃时，经过氧处理的样品的介质损耗迅速增大，这是因为氧处理使空穴载流子浓度增大。通过对材料的直流电导与温度关系的Arrhenius拟合，分析了SBTi的导电机理。结果表明，氧处理并未明显改变样品在300℃。650℃温度区域的栽流