【摘 要】
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以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO2粉体。实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO2粉体的物化性能进行了研究。结果表明：当In掺杂浓度为2
【机 构】
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景德镇陶瓷学院江西省高等学校无机膜重点实验室,萍乡高等专科学校
【基金项目】
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The project supported by Program of Natural Science Foundation of Jiangxi Province （No. 2007GZC0799 ） and Program ofEducational Committee of Jiangxi Province （ No. [ 2005 ] 322 , [ 2006 ] 309）
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以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO2粉体。实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO2粉体的物化性能进行了研究。结果表明：当In掺杂浓度为2 mol%时,掺杂SnO2粉体具有较低的Zeta电位。相对于纯SnO2粉体,In掺杂改变了SnO2的晶胞参数并增大了其晶胞体积。
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