In掺杂相关论文
研究了交换磁体Nd(Fe,In)B的磁性能,并对In的掺杂作用进行了探讨.发现对NdFeB复合磁体少量的In掺杂可以明显地提高磁体的矫顽力和......
利用水热法合成了铟掺杂的氧化锌(In-Zn O)纳米棒.X射线衍射(XRD)结果表明铟掺杂能导致氧化锌晶格膨胀.扫描电镜(SEM)结果显示,随......
近年来,由于化石能源短缺及燃烧化石能源所导致的环境问题,人们亟需寻找可再生的新能源来代替或者减少化石能源的用量。科学家们发......
学位
通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌(In/ZnO)纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为4......
采用溶胶-凝胶(sol-gel)旋涂法在常规玻璃衬底上生长了In掺杂浓度分别为1 at％、2 at％、3 at％、4 at％、5 at％的ZnO薄膜.借助X射线衍射仪(......
以p型Bi0.3Sb1.7Te3合金为研究对象,探究In掺杂对其电声传输性能的影响.研究发现,随着In含量的增加,Seebeck系数上升,电导率降低,......
本研究以醋酸镍为原料,采用改进的溶胶—凝胶法制备了纳米NiO粉体,采用旋涂法制备了纳米NiO薄膜,并以自制的纳米NiO粉体制成了旁热......
氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙(3.3eV)半导体氧化物,由于其优良的光电特性等,在发光器件、液晶显示器、太阳能电池、气敏元件以及......
对Nd2 Fe14 B/α -F基纳米交换耦合磁体进行了磁场热处理的研究 .研究发现 :退火温度在硬磁相居里点附近时 (30 0～ 40 0℃ )有明显......
采用射频反应溅射技术在硅 (10 0 )衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明 ,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜......
通过固相合成法制备In掺杂p型Cu2SnS3的致密块体Cu2Sn（1-x）InxS3,考察其晶体结构和电输运特性。结果表明：In置换Sn引入空穴极大地提高......
热蒸发Zn、In2O3和C粉混合物，在没有催化剂的条件下制备出掺铟氧化锌纳米盘．纳米盘呈六边形或十二边形，均是结晶完好的纤锌矿结构的单......
利用水热法合成了铟掺杂的氧化锌（In-ZnO）纳米棒. X射线衍射（XRD）结果表明铟掺杂能导致氧化锌晶格膨胀.扫描电镜（SEM）结果显示,随着前驱......
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM......
采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结InxGa1-xN太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.0......
通过垂直布里奇曼法在富Te环境下生长铟(In)掺杂的CdTe与CdTe0.9Se0.1晶体,CdTe晶体的电阻率达到了10^8Ω·cm,而CdTe0.9Se0.1......
采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明，In的分凝特性......
采用真空热蒸发工艺，在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜，在正交实验条件下，以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度，在此基......
通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜．在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱，观察到波长......
采用柠檬酸盐燃烧法制备BaCeO3及In、Y掺杂的BaCeO3.采用X射线粉末衍射仪对材料的物相进行了表征.结果表明,未进行掺杂的BaCeO3需......
热电技术利用泽贝克效应和佩尔捷效应可以实现热能和电能之间的能量转化,具有结构简单、无污染和稳定性高等优点,在余热利用和制冷......
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对ZnO薄膜的结构特性的......
采用固相反应法合成了高温质子导体CaZr0．9In0．1O3-α，XRD分析表明，混合粉体经1673K×10h煅烧后形成了预期的钙钛矿结构的CaZr03基......
采用沉淀法，以Zn（Ac）2·2H2O和InCl3为反应物制备不同形状的纳米掺铟氧化锌（ZIO）。通过X射线衍射（XRD）和能谱分析（EDS）确定In可进入ZnO......
采用改进的柠檬酸盐法制备了不同In、Ta掺杂量的BaCeO3基质子导体粉体,干压成型后分别在1150℃、1250℃和1350℃下进行烧结。采用X......
一维ZnO纳米材料具有良好的紫外发光性能、表面极化性能、高比表面积、高热稳定性以及高化学稳定性等，对比纯ZnO，掺杂的ZnO可以表现......
硫化镉(Cd S)是一种重要的II-VI族化合物半导体材料,它具有宽的直接带隙(~2.42 e V)、高的载流子迁移率(3×105 cm2/V·s)和良好的......
采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.3Mn0.2Te晶体（CdMnTe：In）和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体（CdMnTe）。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和......
采用改进的柠檬酸盐法制备了In、Tb共掺的BaCeO3基质子导体,分别采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了质子导体的相结构和微观形......
以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO2粉体。实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO2粉体的物化......
氧化锌因为具有宽带隙3.37 eV,高激子束缚能60 meV,近年来受到广泛的关注。而其中尤其以一维ZnO纳米材料最有吸引力,这是由于其具......
Cd1-xMnxTe晶体材料是一种稀释磁性半导体材料（Diluted Magnetic Semiconductors，简称DMS）。它是由于磁性过渡族金属离子Mn2+部分取代......
设计了一系列名义组成为Zn4Sb3-xInx(0~0.08,Δx=0.02)的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料,并用真空熔融-随炉冷却-放电等离子体烧结工艺......
ZnO是第三代新型半导体材料，一种新型的II-VI族直接带隙半导体材料，因其特殊的光电特性而被誉为第三代光电子半导体材料，它在很多领域......
由于CdZnTe（CZT）具有较高的平均原子序数和较大的禁带宽度，所以CZT探测器具有较大的吸收系数、较高的计数率，能在室温下工作，因而在医学......
本文使用脉冲激光沉积法(PLD)制备了铟掺杂氧化镉(In-CdO)透明导电薄膜,实验以Cd-In合金为靶材,在氧气气氛下以石英玻璃为基体进行......
采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法（MVB）制备了In：ZnTe与ZnTe晶体，并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术......
采用水热法在ZnO籽晶层上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计和荧光光谱仪等测......
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体，实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响，重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度......
以氧化钛（TiO2）膜为半导体膜,制备了CdS/CdSe量子点共敏化的量子点敏化太阳能电池（Quantum Dot-sensitized Solar Cells,简称QDSSCs）。......
