【摘 要】
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阐述了射频磁控溅射方法制备的柔性衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性与靶材中SnO2含量的关系.ITO靶材中In2O3掺杂SnO2最佳比例(质量比)为7.5%,制备薄膜的霍耳迁移率为89.3
【机 构】
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山东大学威海分校空间科学与应用物理系
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阐述了射频磁控溅射方法制备的柔性衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性与靶材中SnO2含量的关系.ITO靶材中In2O3掺杂SnO2最佳比例(质量比)为7.5%,制备薄膜的霍耳迁移率为89.3 cm2/(V·s),电阻率为6.3×10-4Ω·cm,在可见光范围内相对透过率为85%左右,随着靶材中SnO2含量增大,薄膜的光学带隙展宽.用不同掺杂比例的靶材制备的薄膜均为多晶纤锌矿结构,掺杂比例增大,样品的晶格常数变大,晶格畸变明显.
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