等电子施受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移

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【摘要】

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本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电

【作者】

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刘晓江炳熙

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

1989年2期

【关键词】

：

磷化镓等电子陷阱光致发光 GaP Isoelectronic trap Bound exciton Energy transfer Photolum

【基金项目】

：

中国国家科学基金

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本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的变化关系以及与GaP∶(Bi)材料的实验结果比较,为这一能量转移过程提供了进一步的论据.

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