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综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。
SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势
【摘 要】
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综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方
【机 构】
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西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安工业大学机电工程学院
【出 处】
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宇航材料工艺
【发表日期】
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2010年01期
【基金项目】
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陕西省重点实验室建设基金项目资助(09JS099)
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