SiC单晶片相关论文
SiC单晶是制作高频、高温、大功率电子器件的最佳材料,常被用作GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,是一种非常重要的半导体材料。由于......
随着人工智能和云计算等科技的崛起,SiC单晶材料制成的半导体芯片扮演着越来越重要的角色,其主要应用于电子器件、光学器件、航空......
通过微纳米力学测试系统对6H-SiC单晶片(0001)晶面进行不同间距和不同顺序的纳米刻划试验,并用摩擦力传感器、超景深显微系统和三......
SiC单晶具有优良的物理机械性能,因而大量用于大功率器件和IC行业。但由于材料的高硬度和高脆性,使其加工过程变得很困难。金刚石......
碳化硅（SiC）单晶作为第三代主要的半导体晶体材料，以其独特的大禁带宽度、高击穿场强、高饱和电子漂移率、高热导率、强抗辐射能力和......
金刚石线锯切割技术由于切缝窄、表面损伤小故广泛应用于硬脆材料加工中，但在切割超硬脆材料SiC单晶片中，由于切割过程中线锯不断换......
碳化硅作为第三代半导体材料，应用广泛。如何获得高质量的晶片表面，是目前必须解决的重要问题。本论文通过线切割、研磨、化学机械抛......
本文通过试验研究了抛光液中金刚石磨料粒径对SiC单晶片去除率和表面质量的研究.试验中选用五种不同粒径的金刚石磨料,分别配制了......
SiC单晶的材质既硬且脆，加工难度很大。本文介绍了加工SiC单晶的主要方法，阐述了其加工原理、主要工艺参数对加工精度及效率的影响，提......
通过响应面分析法（RSM）对超声振动辅助金刚石线锯切割SiC单晶体的工艺参数进行分析和优化。采用中心组合设计实验，考察线锯速度、工件......
通过理论分析和实验研究相结合的方法,对工件旋转条件下电镀金刚石线锯切割SiC单晶片锯切力进行了分析。依据磨削和动态切削理论,......
分析了SiC单晶片研磨过程的材料去除机理，采用统计方法描述了磨粒粒度的分布规律，推导出参与研磨过程的活动磨粒数量计算公式。依据S......
随着电子工业的快速发展,对半导体材料的需求越来越大,对各种元器件的性能要求也越来越高。碳化硅(SiC)单晶作为理想的半导体材料,......
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优质晶体生长常常需要籽晶或衬底偏离常规结晶取向。为便于按任意偏向角度研磨晶片,本实验室设计并应用了晶片取向研磨夹具及相应......
SiC单晶片的材质既硬且脆,加工难度很大,通过ELID磨削技术超精密加工SiC单晶片是一种高效的加工方法,而氧化膜的特性是ELID磨削技......
SiC单晶作为理想的半导体材料，其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点。本文基于SiC单晶材料去除机理，通过有限元......
单晶碳化硅(Si C)以其独特稳定的物理学特性和半导体特性在集成电路和空间光学等领域得到广泛应用。在Si C单晶片的制造过程中,切......
Si C单晶因优良的物理和力学性能而大量用于大功率器件和IC行业,但由于材料的高硬度和高脆性,使其加工过程变得困难。基于进给量与......
综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片......
本文的研究对象是6H-SiC，目前6H-SiC主要用于LED照明，在LED领域的强大市场牵引力将促使取代Si成为第三代半导体衬底材料。针对SiC单......
SiC单晶作为第三代半导体材料,因具有优良的特性,而被广泛应用于各种元器件的衬底材料,但由于SiC单晶片硬度极高,属于典型难加工的......
SiC单晶等硬脆材料以其特殊的物理和力学性能,在航空航天和工业生产中得到广泛的应用,但是由于其硬度高、脆性大,使其加工过程变得......
在SiC单晶片的制造中,切割是加工SiC单晶片的关键工序,其成本占整个加工成本的50%以上。然而,传统的切割技术还存在一定的缺点或局......
半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。半导体照明器件的核心是发光二极管(LED),LED的心脏是一个半导体芯片。当前用......
由于超声振动复合加工过程很难通过动力学分析得到有效的切割机理的数学模型，而试验研究不失为解决该问题的一种有效方法。采用中心......
碳化硅(SiC)单晶片属于难加工材料,在使用之前必须要进行研磨与抛光。材料去除率(Material removal rate,MRR)是衡量SiC单晶片研磨......
SiC单晶具有优良的物理和机械性能，在微电子和光电领域得到了广泛应用，然而由于其高硬度和脆性，晶片的制造非常困难、效率低下。为提......
