【摘 要】
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我们试制的是微合金台面型变容二极管。它是在2.5—3ΩCm/口的N型衬底上采用离子注入磷的方法,使其浓度达到N~+,再在N~+上扩硼,然后蒸Al,形成Al—Si合金,光刻Al,然后用化学
【机 构】
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河北大学电子系 75届毕业班工农兵学员
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我们试制的是微合金台面型变容二极管。它是在2.5—3ΩCm/口的N型衬底上采用离子注入磷的方法,使其浓度达到N~+,再在N~+上扩硼,然后蒸Al,形成Al—Si合金,光刻Al,然后用化学腐蚀的方法腐蚀出台面,最后溅射SiO_2作台面保护。管的结构如图1所示。
Our trial is a micro-alloy mesa varactor. It is in the 2.5-3ΩCm / mouth of the N-type substrate using ion implantation of phosphorus method, so that its concentration reaches N ~ +, and then boron in N ~ +, and then steam Al, Al-Si alloy, lithography Al, and then etching out the surface by chemical etching method, and finally sputtering SiO 2 for tabletop protection. Tube structure shown in Figure 1.
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