【摘 要】
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用银头烙铁直接把InAuSbNi合金(91:7:1:1)涂敷在硅片上,再经450℃的热处理,在高达600Ω·cm的N型硅上都得到了良好的欧姆接触。文中研究了它的接触性能;计算了金属对N型硅接
【机 构】
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南京大学物理系,上海电子器材厂,上海电子器材厂,上海电子器材厂
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用银头烙铁直接把InAuSbNi合金(91:7:1:1)涂敷在硅片上,再经450℃的热处理,在高达600Ω·cm的N型硅上都得到了良好的欧姆接触。文中研究了它的接触性能;计算了金属对N型硅接触的接触电阻率和掺杂浓度的关系,并与实验作了比较。本方法已成功地用于杂质补偿度的测量。
The InAuSbNi alloy (91: 7: 1: 1) was directly coated on the silicon wafer with a silver head soldering iron, and then a good ohmic contact was obtained on the N type silicon of up to 600 Ω · cm by heat treatment at 450 ° C. The contact properties of the N-type silicon contact were calculated. The relationship between the contact resistivity and doping concentration of the N-type silicon contact was calculated and compared with the experiment. This method has been successfully used to measure the degree of impurity compensation.
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