杂质补偿相关论文
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
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本文根据实验结果讨论了原始硅单晶的不同生长气氛、电阻率均匀度、杂质补偿度,载流子寿命、位错、含氧量等对半导体核辐射探测器......
本文简要介绍在对扩散杂质分布作了近似之后（在发射区和基区漂移场加速区中近似为 指数型分布，而发射结区和基区漂移场减速区中近似......
本文叙述了衬底掺杂浓度对扩散杂质薄层电阻的影响:衬底掺杂浓度N_b的变化及其对扩散系数D的修正;扩散结深X_i与N_b的关系;以及扩......
本文介绍了一种计算基区平均杂质浓度N_b的简单方法。并在前文所导出的公式的基础上,给出了基区扩散最大许可结深的计算方法,以及......
本文记述了用准静态技术C—V曲线测得的离子注入前后的表面态、界面态的测量结果。通过对这些结果进行分析,讨论了离子注入对表面......
本文探讨多碱阴极氧敏化机理,指出用n型Cs_2O覆盖双碱阴极Na_2KSb,有可能大幅度提高多碱阴极的积分灵敏度和长波阈。用KMnO_4作为......
本文介绍n阱CMOS与BIPOlAR集成电路兼容工艺。在CMOS集成电路工艺的基础上增加一次双极晶体管的基区注入,CMOS特性不改变。
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用银头烙铁直接把InAuSbNi合金(91:7:1:1)涂敷在硅片上,再经450℃的热处理,在高达600Ω·cm的N型硅上都得到了良好的欧姆接触。文......
第1期心a人sP混晶中Te施主深能级的研究·”·“····“··········“·“·······”·”·“一·一·…张文清......
在深低温强磁场条件下,对不同电学参数(掺杂量,补偿度等)的N-InSb材料的过热电子输运特性进行了系统研究,结果表明:高补偿材料能在......
尽管高温电解已经被证明是消除石英中填隙杂质的一种有用技术,但是测量这种工艺步骤的效率的可靠指示装置仍在研制之中。本文的目......
本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究。已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料。样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低......
