【摘 要】
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为获得高频信号源,采用0.13μm的锗硅双极结型晶体管和互补金属氧化物半导体工艺设计并实现了一种高效率和高基频抑制的52GHz平衡式二倍频器。二倍频器采用了差分共射-共基结
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院大学材料与光电研究中心,中国科学院大学
【基金项目】
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中组部青年千人计划(Y5SQRB1001)
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为获得高频信号源,采用0.13μm的锗硅双极结型晶体管和互补金属氧化物半导体工艺设计并实现了一种高效率和高基频抑制的52GHz平衡式二倍频器。二倍频器采用了差分共射-共基结构,且在输入端采用了一个单端转差分的巴伦,并利用二次谐波反射器减小反馈到输入的二次谐波对输出信号的影响,有效地提高了二次谐波输出功率。探针台测试结果表明,巴伦在20~26.5GHz范围内的插入损耗约为1dB,且当二倍频器输入26GHz信号,功率为0.5dBm时,输出的52GHz信号功率达到2.3dBm,相应的基频抑制达到34dBc,直流
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