Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：anan9077

【摘要】

：

用高真空电子束蒸发方向制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ过渡层厚度达到０．９ｎｍ时，三明治膜中开始出现较强的平面内磁各是性。在Ｓｉ１５ｎｍｍ／ｃｏ５ｎｍ／Ｃｕ３ｎｍ／Ｃｏ５ｎｍ结构中，在其易轴上

【作者】

：

李冠雄沈鸿烈

【机构】

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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

1999年3期

【关键词】

：

巨磁电阻效应硅过渡层磁各向异性三明治膜

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用高真空电子束蒸发方向制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ过渡层厚度达到０．９ｎｍ时，三明治膜中开始出现较强的平面内磁各是性。在Ｓｉ１５ｎｍｍ／ｃｏ５ｎｍ／Ｃｕ３ｎｍ／Ｃｏ５ｎｍ结构中，在其易轴上得到了５．５％的巨磁电阻值和０．９％／Ｏｅ的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ界面之间的相互扩散，发现在过渡层Ｓｉ与Ｃｏ层间形成了Ｃｏ－Ｓｉ化合物。这

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