【摘 要】
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以高纯石英SiO2、氧化铝粉末为原料,采用传统固相反应法在1 580℃空气中烧结得到了致密的Al2O3封装陶瓷.研究了不同石英SiO2/Al2O3配比对Al2O3陶瓷的热学性能、力学性能及介
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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中央高校基本科研业务费专项基金资助项目（ZYGX2012J035）
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以高纯石英SiO2、氧化铝粉末为原料,采用传统固相反应法在1 580℃空气中烧结得到了致密的Al2O3封装陶瓷.研究了不同石英SiO2/Al2O3配比对Al2O3陶瓷的热学性能、力学性能及介电性能的影响.研究结果表明,当石英SiO2的质量分数为3.5％时,在1 580℃烧结温度下保温3h所得样品综合性能最佳.陶瓷试样密度为3.85 g/cm^3,抗弯强度达到517MPa,热膨胀系数为6.6×10^-6（300℃）,介电常数为9.4.
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