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自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问题,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进,有效地解决了问题.
亚微米CMOS IC中自对准硅化物工艺的研究
【摘 要】
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自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问题,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退
【机 构】
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无锡微电子科研中心
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2002年5期
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