【摘 要】
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A.T.Burkov等人通过原位热电势和电阻率测量,表明退火使沉积态Cr_(1-x)Si_x非晶薄膜转变为晶粒平均尺寸为10~20nm的纳米晶。部分晶化的薄膜,也就是弥散分布在非晶基体中的薄
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A.T.Burkov等人通过原位热电势和电阻率测量,表明退火使沉积态Cr_(1-x)Si_x非晶薄膜转变为晶粒平均尺寸为10~20nm的纳米晶。部分晶化的薄膜,也就是弥散分布在非晶基体中的薄膜,是一种新型均质,其中纳米晶相起散射中心作用,对热电势贡献很大。纳米Cr_(1-x)Si_x复合物热电性能的提高,是由于纳米晶界面载流子的散射即能量过滤(fitering)促使的。
A.T. Burkov and others by in situ thermoelectric power and resistivity measurements show that the annealing of the deposited Cr_ (1-x) Si_x amorphous film into an average grain size of 10 ~ 20nm nanocrystals. Partially crystallized films, that is, films dispersedly distributed in an amorphous matrix, are a new type of homogenization in which nanocrystals act as a scattering center and contribute greatly to the thermoelectric potential. The improvement of the thermoelectric properties of the nanocomposite Cr_ (1-x) Si_x composites is due to the scattering of the carriers at the nanocrystalline interface, ie, the energy fitment.
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