【摘 要】
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NEC最近开发了高性能0．15w最先进的逻辑CMOS技术。其特点如下：（l）采用侧壁硼离子注入的新开发的ffi，实现了栅宽为0．Zap而阈值电压仍不低下的NMOS］？IC：l？。（2）采用阻挡层低的Cthe实现了比
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NEC最近开发了高性能0．15w最先进的逻辑CMOS技术。其特点如下：（l）采用侧壁硼离子注入的新开发的ffi，实现了栅宽为0．Zap而阈值电压仍不低下的NMOS］？IC：l？。（2）采用阻挡层低的Cthe实现了比钛硅化物还低10％的接触电阻，晶体管的导通电阻低至10％。结果，试制的环形振温器实现了电路时延为18．spe（电源电压为互．SV）。采用与IGbDRAM相同水平的加工技术形成的此逻辑CMOS技术实现了可GHz工作的高端微处理器及内置DRAM的ASIC为主的多媒体时代的片上系统ti：llS：I。采
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