【摘 要】
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用熔融法结合放电等离子烧结方法合成了Zn掺杂单相P型Ge基I型笼合物Ba8Ga16ZnxGe30-x(x=3,4,5,6),探索Zn取代Ge对其热电性能的影响规律,结果表明:所制备的Ba8Ga16ZnxGe30-x化
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
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用熔融法结合放电等离子烧结方法合成了Zn掺杂单相P型Ge基I型笼合物Ba8Ga16ZnxGe30-x(x=3,4,5,6),探索Zn取代Ge对其热电性能的影响规律,结果表明:所制备的Ba8Ga16ZnxGe30-x化合物为P型传导,随Zn取代量x的增加,化合物室温载流子浓度Np逐渐增加,室温载流子迁移率μH和电导率逐渐降低.在所有试样中,Ba8Ga16Zn3Ge27化合物的Seebeck系数α在300-870 K内始终最大,温度为300 K时Seebeck系数为234 μV/K,在700 K附近达295 μV/K.化合物的热导率随Zn取代量x的增加而降低.Ba8Ga16Zn3Ge27化合物在806 K最大ZT值达0.38.
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