【摘 要】
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Ge具有较高的空穴迁移率和较小的禁带宽度,并能进行重掺杂,且Ge与GaAs之间有非常好的晶格匹配.这些优点可应用于空穴调制掺杂结构、GaAs-Ge量子限制结构、光晶体管和异质结双
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Ge具有较高的空穴迁移率和较小的禁带宽度,并能进行重掺杂,且Ge与GaAs之间有非常好的晶格匹配.这些优点可应用于空穴调制掺杂结构、GaAs-Ge量子限制结构、光晶体管和异质结双极晶体管.
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